Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010




PDF просмотр
НазваниеЛомоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010
страница5/92
Дата конвертации05.10.2012
Размер1.28 Mb.
ТипДоклад
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   92


12
ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2010 
КР по идентификации типа структуры имплантированного слоя, его профиля, 
пороговой  дозы  аморфизации,  получению  количественной  оценки  степени 
разупорядочения  кристаллической  решетки  на  различных  этапах  процесса 
имплантации [1, 2]. Получены спектры КР кристаллов кремния, имплантиро-
12
ванных ионами P+, Sb+, Se+, As+, B+ с энергией Е=50 кэВ в диапазоне доз 10  
15
- 10  см-2 и спектры РСКР тех же. Установлено, что, независимо от типа им-
плантируемых  ионов,  процесс  трансформации  спектра  КР  при  последова-
тельном увеличении дозы имплантации осуществляется в три этапа, которым 
соответствуют три типа структуры приповерхностного слоя, различающиеся 
степенью  нарушения  дальнего  порядка  в  кристалле.  Причиной  изменения 
спектра  КР  является  локализация  фононов  вследствие  сокращения  корреля-
ционной длины с ростом дозы.  
Рассмотрены  особенности  КР,  обусловленные  изменением  энергии  им-
плантированных  ионов,  и  установлена  их  корреляция  с  соответствующими 
изменениями профиля структуры 
имплантированного  слоя.  Для 
повышения  чувствительности  к 
малым изменениям в спектре ис-
пользовалась  методика  РСКР. 
Анализ  спектров  КР  кристаллов 
кремния,  имплантированных  ио-
нами  P+, As+, Se+, Si+,  показал, 
что  вид  спектра  зависит  как  от 
величины  энергии  имплантируе-
мых ионов, так и от конкретного 
сочетания  энергии  и  дозы  им-
плантации.  Для  примера  рас-
смотрим  спектры  КР  кристаллов 
кремния,  имплантированных  ио-
14
нами фосфора с дозой D = 3.10   
см-2 и энергиями Е  = 50 кэВ (а), 
1
Е  =150 кэВ (рис. 1). Для энергии 
2
Е  =150 кэВ  линии,  соответст-
2
 
вующие аморфному кремнию, не 
 
наблюдаются,  хотя  доза  имплан-
Рис. 1. Спектры  КР  кристаллов  кремния,  им-
тации  превышает  порог  аморфи-
плантированных ионами фосфора с дозой D = 
зации.  Полученные  результаты 
3.10  14  см-2  и  энергиями  Е  = 50 кэВ  (а),  Е  
1
2
мож-но объяснить, учитывая, что 
=150 кэВ (b), а также спектр эталонного моно-
кристалла кремния из той же серии (c) (слева). 
критическая  плотность  потерь 
Нормированные спектры РСКР для тех же об-
энергии для спонтанного перехо-
разцов приведены справа 
да в аморфное состояние не зави-


Подсекция «Оптика и лазерная физика»  
13
сит  от  типа  иона  и  энергии  и  со-
20
2
ставляет ~ 5.10  кэВ/см . Таким об-
разом,  аморфный  слой  может  фор-
мироваться,  начиная  с  доз  имплан-
тации,  для  которых  максимальное 
значение плотности потерь энергии 
превышает критическое значение. 
На  рис.2  приведена  плотность 
энергетических  потерь  ионов  фос-
фора в кремнии в зависимости от их 
глубины  проникновения.  Там  же 
указываются  энергетические  грани-
цы  формирования  той  или  иной 
структурной фазы, а также глубины 
проникновения света (λ  = 488 нм) в   
аморфный и кристаллический крем-
Рис. 2. Плотность  энергетических  по-
ний.  Видно,  что  для  более  медлен-
терь ионов Р+ в кремнии в зависимости 
ных  ионов  с  энергией  Е = 50 кэВ 
от  расстояния  до  поверхности.  Волни-
стые  стрелки  указывают  глубины  про-
критическое  значение  потерь  энер-
никновения света ( λ =488 нм) в аморф-
гии достигается уже на поверхности. 
ном и кристаллическом кремнии 
Для более быстрых ионов фосфора с 
энергией Е = 150 кэВ уровень энергетических потерь остается ниже критиче-
ского вплоть до глубины 0.2 мкм, что обусловливает малое разупорядочение в 
приповерхностной области.  
КР  и  измерения  отражательной  способности  с  временным  разрешением 
были  использованы  нами  для  контроля  кинетики  процесса  восстановления 
кристалличности  в  P+-аморфизованном  кремнии,  облученном  импульсами 
рубинового  лазера  с  различной  плотностью  энергии W.  Особое  внимание 
уделялось выявлению структурных изменений до, и сразу после порога кри-
сталлизации [3]. 
КР  и  структурное  разупорядочение  в  арсениде  галлия  при  ионной 
имплантации. 
Ионы Si, Se с  энергией 140 кэВ  имплантировали  в  полуизолирующий 
GaAs (n<1015 см-3) с ориентацией (100) в интервале доз 1013–5 1014 см-2[4]. 
В спектрах КР имплантированных образцов (рис. 3, 4) с увеличением дозы 
имплантации наблюдалось уменьшение интенсивности LO компоненты, ее 
сдвиг  в  сторону  низких  частот  и  асимметричное  уширение.  Кроме  того, 
происходило нарастание интенсивности широких полос в области 70, 180, 
250 см-1, характерных для аморфного GaAs. 
Наличие  в  спектрах  имплантированных  образцов  как  смещённой  и 
уширенной LO-компоненты, так и линий аморфного GaAs указывает на 
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   92

Похожие:

Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 icon    xxxiii районная   научно - практическая   конференция учащихся  (сборник тезисов докладов) 
Сборник составлен на основании тезисов работ учащихся Октябрьского района г. Красноярска, 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconТезисы докладов
Я 43  Материалы Научной конференции «Ломоносовские чтения» 2012 года и Международной
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconНаучная конференция «ломоносовские чтения» 2010 международная научная конференция студентов
Миленко, В. В. Хапаева. - Севастополь: Филиал мгу в г. Севастополе,  2010 - 686 c
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconДоклада,  в  том  числе 78 докладов - участниками  из  других  регионов  России  и 13 
Сборник  тезисов  докладов  секции  «Физика»  ежегодно  издается  на  физическом 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 icon  Тезисы докладов и сообщений  
Сборник тезисов докладов и сообщений Первой Международной научной конференции Проб
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconСборник докладов и выступлений 19-20 апреля 2010 г г. Сургут Ханты-Мансийск 2010 1 ббк  78. 342
«Школьная библиотека инновационная площадка образовательно-воспитательной   деятельности новой школы»
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconКалендарный план гоу цо №1433 на апрель 2010 года
Посещение урока литературного чтения в 3 «А» классе. Цель: уровень преподавания предмета
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconПлан работы гоу сош №937 имени Героя России А. Перова на апрель 2010 года №
Сдача сведений из пк "Школьный офис" о выбывших/прибывших в образовательные учреждения в марте 2010
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconСекция "Системы телекоммуникаций и теория телетрафика"  xliv всероссийской конференции по проблемам математики,  информатики, физики и химии. 21-25 апреля 2008 г.  Список тезисов 
Атерекова  Т. В.,  Зарипова  Э. Р. Модель  состояний  мобильной  станции  в  сети 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconXlv Школа пияф ран, гатчина  Секция Физики  Конденсированного Состояния 
В  данном  выпуске  представлены  программа,  аннотации  докладов  и  состав  участников 
Разместите кнопку на своём сайте:
TopReferat


База данных защищена авторским правом ©topreferat.znate.ru 2012
обратиться к администрации
ТопРеферат
Главная страница