Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010




PDF просмотр
НазваниеЛомоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010
страница7/92
Дата конвертации05.10.2012
Размер1.28 Mb.
ТипДоклад
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   92

Подсекция «Оптика и лазерная физика»  
17
этапах  формирования  изолирующих  слоев  проводились  на  примере 
имплантации эпитаксиальных пленок низкоомного n-GaAs ионами B+, As+, и 
Ga+  .  С  целью  получения  более  полной  информации  о  процессах, 
сопровождающих  ионную  имплантацию  и  компенсацию  проводимости 
эпитаксиальных пленок GaAs, был использован метод фотоотражения. 
Исследование  энергетического  спектра  межзонных  переходов  в 
одиночных и двойных полупроводниковых квантовых ямах на основе 
гетеропары GaAs/AlGaAs. 

Приведены  результаты  исследования  гетероструктур  с  одиночными 
квантовыми  ямами  на  основе GaAs/AlGaAs [7]. Образцы  выращивались 
методом молекулярно-лучевой эпитаксии и представляли собой квантовые 
ямы GaAs шириной 6.5, 10, 20, 26, 30 и 35 нм, помещенные между барье-
рами Al0.2Ga0.8As. Толщины барьеров в разных образцах составляли 30 – 33 
нм.  В  спектрах  ФО  наблюдались  линии  в  области 1.41 и  осцилляции 
Франца-Келдыша  в  области 1.70 - 1.77 эВ,  связаны  с  фундаментальными 
переходами GaAs, и Al0.2Ga0.8As  соответственно.  В  результате  проведен-
ных  расчетов  установлено,  что  наблюдаемые  в  спектрах  ФО  линии  соот-
ветствуют межзонным переходам в квантовых ямах. 
Рассмотрены пары идентичных квантовых ям GaAs шириной 6.5, 13 и 
17.5 нм, разделённых тонкой (толщина от 0.5 до 1.8 нм) широкозонной пе-
регородкой AlAs [8]. Вследствие туннельной прозрачности тонкого барье-
ра в двойных связанных квантовых ямах из дважды вырожденного состоя-
ния  соответствующих  одиночных  ям  образуются  два  состояния,  описы-
ваемые симметричной и антисимметричной волновой функцией. Из анали-
за спектров ФО установлено, что величина расщепления спектральных ли-
ний уменьшается с ростом толщины барьера AlAs и увеличивается с рос-
том энергии уровня в квантовой яме. 
Методом  спектроскопии  ФО  исследовано  влияние  модулированного 
легирования  барьеров  на  энергетический  спектр  электронов  и  дырок  в 
квантовых  ямах [9]. Исследовались  структуры  с  квантовыми  ямами GaAs 
шириной 6.5, 13, 18, 26 и 35 нм  и  концентрацией  легирующей  примеси 
(кремний) в барьерах n-AlGaAs от 1018 до 2·1018 см-3.  Легированная часть 
барьера  отделялась  от  области  квантовой  ямы i-AlGaAs спейсером.  Тол-
щины спейсера и легированного барьера составляли 16.5 нм. 
Для  объяснения  экспериментальных  данных  самосогласованно  реша-
лись  уравнения  Пуассона  и  Шредингера.  В  ходе  решения  определялись 
профиль квантовой ямы, волновые функции четырех электронных и четы-
рех дырочных состояний в гетероструктуре, интегралы перекрытия волно-
вых  функций  электронов  и  дырок.  Сопоставление  экспериментальных  и 
теоретических результатов показало, что изменение типов межзонных пе-
реходов  в  квантовых  ямах  связано  с  изменением  интегралов  перекрытия 

18
ЛОМОНОСОВСКИЕ ЧТЕНИЯ – 2010 
волновых функций электронов и дырок. Это происходит при концентрации 
легирующей примеси в барьерах 2·1018 см-3. 
Основные результаты работы состоят в следующем: 
Трансформация спектров КР при имплантации кремния и арсенида галлия 
ионами P+, Se+, Sb+, As+, B+, Si+, Ga+ в широком диапазоне доз (1011 – 1015 см-2) 
и энергий (50 -150 кэВ), обусловлена размерными эффектами, и соответствует 
различным  типам  разупорядоченных  структур  (монокристалл  с  точечными 
дефектами, аморфная матрица с нанокристаллами, полностью аморфная фаза). 
Особенности, наблюдаемые в спектрах КР имплантированных кристал-
лов  кремния,  подвергнутых  тепловому  и  лазерному  отжигу  обусловлены 
как  наличием  нанокристаллической  фазы  при  восстановлении  кристалли-
ческой  структуры  имплантированного  слоя,  так  и  электрон-фононным 
взаимодействием  (интерференционными  эффектами  типа  Фано)  вследст-
вие электрической активации примеси.  
Перераспределение  интенсивностей  ТО-ТА  компонент  в  спектрах  КР 
аморфного кремния вблизи порога кристаллизации связаны с изменением 
структуры  аморфной  фазы  вследствие  изменения  среднего  значения  раз-
броса  углов  тетраэдрических  связей  в  диапазоне 10.5 - 8.5  о.  Указанные 
особенности носят общий характер и наблюдаются в a-Si при имплантации 
с  дозами,  превышающими  порог  аморфизации,  при  импульсном  и  непре-
рывном лазерном отжиге, а также в пленках a-Si при химическом осажде-
нии паров (CVD). 
Обнаруженные особенности КР в ионно-имплантированных кристал-
лах GaAs, подвергнутых термическому отжигу, обусловлены восстанов-
лением  кристаллической  структуры  имплантированного  слоя,  и  рассея-
нием на связанных фонон-плазмонных модах вследствие электрической 
активации примеси. В случае примеси n-типа, при n > 1018 см-3, частота 
высокочастотной  связанной  моды  L+,  существенно  зависит  от  концен-
трации  свободных  носителей,  в  то  время,  как  низкочастотная  мода L- 
попадает в “запрещенную” область частот между TO и LO колебаниями 
вследствие затухания Ландау. В случае примеси p-типа, связанные коле-
бания  передемпфированы  и  имеют  слабую  концентрационную  зависи-
мость. 
Рассеяние  на  связанных  фонон-плазмонных  модах  в n-GaAs может 
быть  описано  с  помощью  продольной  диэлектрической  функции  Лин-
харда-Мерми-на, полученной в  аналитическом виде в низкотемператур-
ном приближении, учитывающей затухание Ландау и непараболичность 
зоны проводимости.  
Наблюдаемые  особенности  КР  на  связанных  фонон-плазмонных  мо-
дах в тройных соединениях n-InxGa1-xAs могут быть объяснены в рамках 
трехосцилляторной  модели  СФПМ.  Характерным  для  связанных  мод  в 
тройных соединениях является наличие промежуточной ветви L0 (между 
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   92

Похожие:

Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 icon    xxxiii районная   научно - практическая   конференция учащихся  (сборник тезисов докладов) 
Сборник составлен на основании тезисов работ учащихся Октябрьского района г. Красноярска, 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconТезисы докладов
Я 43  Материалы Научной конференции «Ломоносовские чтения» 2012 года и Международной
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconНаучная конференция «ломоносовские чтения» 2010 международная научная конференция студентов
Миленко, В. В. Хапаева. - Севастополь: Филиал мгу в г. Севастополе,  2010 - 686 c
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconДоклада,  в  том  числе 78 докладов - участниками  из  других  регионов  России  и 13 
Сборник  тезисов  докладов  секции  «Физика»  ежегодно  издается  на  физическом 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 icon  Тезисы докладов и сообщений  
Сборник тезисов докладов и сообщений Первой Международной научной конференции Проб
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconСборник докладов и выступлений 19-20 апреля 2010 г г. Сургут Ханты-Мансийск 2010 1 ббк  78. 342
«Школьная библиотека инновационная площадка образовательно-воспитательной   деятельности новой школы»
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconКалендарный план гоу цо №1433 на апрель 2010 года
Посещение урока литературного чтения в 3 «А» классе. Цель: уровень преподавания предмета
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconПлан работы гоу сош №937 имени Героя России А. Перова на апрель 2010 года №
Сдача сведений из пк "Школьный офис" о выбывших/прибывших в образовательные учреждения в марте 2010
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconСекция "Системы телекоммуникаций и теория телетрафика"  xliv всероссийской конференции по проблемам математики,  информатики, физики и химии. 21-25 апреля 2008 г.  Список тезисов 
Атерекова  Т. В.,  Зарипова  Э. Р. Модель  состояний  мобильной  станции  в  сети 
Ломоносовские чтения секция физики Апрель 2010 года сборник тезисов докладов 2010 iconXlv Школа пияф ран, гатчина  Секция Физики  Конденсированного Состояния 
В  данном  выпуске  представлены  программа,  аннотации  докладов  и  состав  участников 
Разместите кнопку на своём сайте:
TopReferat


База данных защищена авторским правом ©topreferat.znate.ru 2012
обратиться к администрации
ТопРеферат
Главная страница