Программа школы 




PDF просмотр
НазваниеПрограмма школы 
страница80/80
Дата конвертации13.11.2012
Размер0.96 Mb.
ТипПрограмма
1   ...   72   73   74   75   76   77   78   79   80

Алфавитный указатель 
Москалева Е. В., 29, 179 
Старова Г. Л., 67 
Мунавиров Б. В., 153 
Стойков И. И., 129 
Напольский К. С., 111 
Сугоняко Н. Ю., 107 
Неронов Ю. И., 33 
Сухаржевский С. М., 39, 47 
Николаев Б. П., 103 
Сухоруков А. В., 84 
Орлинский С. Б., 175 
Сырьев Н. Е., 52 
Павлов А. А., 96 
Толмачёв Д. О., 176 
Павлова М. С., 36, 50 
Толпаров Ю. Н., 103 
Панчук В. В., 154 
Третьяков Д. Ю., 111 
Парфенова Л. В., 155 
Трипутень Л. Ю., 101 
Паршина В. Л., 157 
Тюмкина Т. В., 155 
Петраковская Э. А., 164 
Убыйвовк Е. В., 62 
Петрова М. В., 65 
Фельдман Э. Б., 40, 61 
Петухов А. В., 111 
Филимоненко Н. М., 56 
Подорожкин Д. Ю., 159 
Филиппов А. В., 153 
Помогайло Д. А., 161 
Фисун В. В., 101 
Рауцкий М. В., 164 
Фокин В. А., 107 
Романов Н. Г., 176 
Фролов В. В., 41, 131, 181 
Романовская Е. В., 167 
Халилов Л. М., 155 
Ромашева А. Т., 70 
Харченко К. А., 87 
Рудаков Ю. Р., 56 
Харьков Б. Б., 90 
Рыков И. А., 168 
Чарная Е. В., 159 
Савелов А. А., 65 
Черемисин В. М., 70 
Савинков А. В., 132 
Черненко Ю. С., 106 
Сагдеев Р. З., 65 
Чернышев Ю. С., 134, 136, 179 
Сагдеева Г. И., 99 
Чершышов Д. Ю., 111 
Сангинов Е. А., 96 
Чижик В. И., 43, 44, 55 
Сапрыкова З. А., 99 
Чижик М. В., 180 
Сарнацкий В. М., 189 
Чудин А. В., 93 
Селиванов С. И., 37, 67, 171 
Чумакова Н. А., 161 
Селютин А. А., 72 
Шавва А. Г., 67, 171 
Семенов В. Г., 38 
Шалак К. Е., 171 
Серегин А. Н., 74 
Шапиро А. Б., 108 
Сирецкий М. Ю., 77 
Шапошников А. М., 112 
Ситдиков Р. Р., 129 
Шарафутдинова Л. А., 99 
Скирда В. Д., 132 
Шевелев В. А., 150 
Склярова А. С., 81 
Шеляпина М. Г., 77, 87, 90 
Скрябина Н. Е., 90 
Шестаков С. Л., 96 
Смекалова Т. Н., 93 
Шубин С. А., 181 
Смирнов Л. П., 141 
Эккерлебе Х., 111 
Соколова А. А., 172 
Югова И. А., 172 
Солтамова А. А., 175 
Яковлева Л. Ю., 103 
Сорокина О. Н., 108 
Янсон И. К., 101 
194 

Для заметок 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

 

 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Материалы конференции 
«Магнитный резонанс и его приложения» 
Санкт-Петербургский государственный университет 
1 – 5 декабря 2008 года 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Отпечатано копировально-множительным участком отдела 
обслуживания учебного процесса физического факультета СПбГУ 
Приказ № 571/1 от 14.05.03 
Подписано в печать 20.11.08 с оригинал-макета заказчика. 
Ф-т 30x42/4, Усл. печ. л. 11,7. Тираж 130 экз., Заказ № ___ 
198504, СПб, Ст. Петергоф, ул. Ульяновская, д. 3, тел. 929-43-00
 

 
Методы обработки сигналов магнитного резонанса в 
системах диагностики материалов в условиях 
технологических помех 
Куприянова Г. С., Мозжухин Г. В., Молчанов С. В.  
236000, Российский госуниверситет имени. И. Канта, Калининград, ул. А. Невского, 14 
Одна  из  важных  проблем,  которая  возникает  при  регистрации  низкочастотных 
сигналов в ядерном магнитном и ядерном квадрупольном резонансе (ЯКР) - это повы-
шение отношения сигнал/шум. Особенно актуальной эта задача является при дистанци-
онном  детектировании  азотсодержащих  соединений.  Решение  этой  проблемы  во  мно-
гом усложняется тем, что возникает необходимость идентификации слабого полезного 
сигнала на фоне сильных внешних помех. Высокий уровень помехи также затрудняет 
использование  возможности  проведения  накопления  сигнала  для  повышения  отноше-
ния сигнал/шум. Одно из решений данной проблемы – применение современных мето-
дов обработки сигналов. В представленной лекции рассматриваются традиционные ме-
тоды  Фурье-спектроскопии.  Особое  внимание  уделяется  недостаткам  Фурье-
преобразования  при  обработке  нестационарных  сигналов.  Рассматриваются  методы 
вейвлет-преобразования  и  методики  очищения  сигнала  от  шума.  Представлен  анализ 
частотной  локализации  различных  вейвлетов  при  исследовании  интерференционных 
сигналов,  возникающих  в  многоимпульсных  экспериментах.  Рассмотрены  методы 
адаптивной фильтрации в условиях ограниченной временной выборки сигналов детек-
торов ЯКР. Одним из возможных решений предложено использование авторегрессио-
ной  модели  с  применением  метода  максимальной  энтропии.  Применение  рассматри-
ваемых  методов  демонстрируется  на  примерах  обработки  сигналов  ядерного  квадру-
польного  резонанса,  регистрируемых  на  некотором  расстоянии  от  образца  в  условиях 
радиопомех. 
А-183 

 
Исследование многослойных магнитных структур методом 
ферромагнитного резонанса 
Гойхман А. Ю.1, Куприянова Г. С.1, Зенкевич А. В.2 
1236000,Российский государственный университет имени И. Канта, Калининград, 
ул. А. Невского, 14 
2115409, Московский инжнерно-физический инстиут (государственный университет), 
Москва, Каширское шоссе, 31 
E-mail:
 AYGoikhman@gmail.com 
Магнитные туннельные переходы (МТП), состоящие из структур ферромагнетик 
(ФМ) – туннельный  изолятор  (ТИ) – ферромагнетик,  являются  основным  элементом 
энергонезависимой памяти произвольного доступа нового поколения. В элементе маг-
нитной памяти, основанном на квантовом туннелирования электронов (проводимости), 
ориентация  намагниченности  одной  из  ферромагнитных  обкладок  изменяется  прило-
жением внешнего магнитного поля, величина которого подбирается так, чтобы ориен-
тация намагниченности второй ферромагнитной обкладки не менялась. Изменение ве-
роятности туннелирования при изменении относительной ориентации намагниченности 
ферромагнитных  обкладок  приводит  к  изменению  «гигантского  магнитосопротивле-
ния» R 2
GM   тонкопленочной  структуры  ФМ–ТИ–ФМ,  и  может  быть  использовано  для 
создания  статических  элементов  магнитной  памяти  произвольного  доступа (magnetic 
random access memory, MRAM). Такие элементы памяти энергонезависимы (сохраняют 
информацию в отсутствие питания), обладают неограниченной способностью к переза-
писи,  дают  возможность  быстрого  считывания  и  записи,  и  могут  быть  так  же  миниа-
тюрны,  как  и  конкурирующие  технологии.  Благодаря  этому  набору  качеств,  а  также 
весьма низкой оценочной стоимости изготовления при интегрировании в кремниевую 
технологию, данная технология может вытеснить другие технологии изготовления эле-
ментов памяти, в частности, флэш-память. Сравнительный анализ различных характе-
ристик современных видов памяти приведён в таблице 1. 
Таблица 1. Характерные или оцененные значения параметров для различных 
технологий встраиваемой памяти. Выделенные цветом данные показывают области, 
где ожидается, что MRAM будет иметь значительно преимущество 

Категория
NOR 
 
Параметр SRAM DRAM 
MRAM 
Flash 
Затраты 
Площадь ячейки 3,7мкм2
0,56мкм2
0,5мкм2 
0,7-0,14мкм2
Доступ на чтение 3.3нс 13нс 13нс 5-20нс 
Цикл записи 3,4нс 20нс 
5мкс 5-20нс 
Быстродействие  Энергопотребление 
на
0,6нА на бит 
0,2нА на бит 
 сохранение дан-
при
при
0 0 
ных
 85°С 
 85°С 
 
Активная при  
30 пКл 
чтении
15 пКл на бит 7 
пКл на бит 
на
7 пКл на бит 
Мощность
 
 бит 
 
Активная при  
30 нКл 
записи
15 пКл на бит 7 
пКл на бит 
45 пКл на бит 
 
на бит 
Способность
Прочее
 к  
105 
 
неограниченная
неограниченная
перезаписи
  неограниченная 
 
 
циклов 
Таким образом, память произвольного доступа на основе создаваемой техноло-
гии MRAM будучи  энергонезависимой,  превосходит  по  многим  параметрам  исполь-
зующиеся в настоящий момент типы памяти. 
                                                 
 
2 RGM=(R-R)/R 
А-184 

 
Основная  проблема,  возникающия  при  разработке  новой  комбинации  материа-
лов, и попытке формирования МТП на основе таких материалов заключается в явлении 
магнитного обменного взаимодествия между двумя ФМ слоями, разделенными ТИ из-
лоем [1]. 
Метод  ферромагнитного  резонанса  (ФМР)  может  быть  успешно  применён  при 
исследовании  подобного  рода  структур,  за  счёт  возможности  точной  идентификации 
фазы и магнитного состояния тонких слоев магнитных структур. 
Данная  работа  посвящена  ФМР  исследованию  как  отдельных  магнитных  слоёв 
Fe3Si, Co, Fe и Fe3O4 так  и  трёхслойных  структур  магнитных  туннельных  переходов 
Fe3Si/SiO2/Co, Fe3Si/MgO/Co  и Fe3O4/MgO/Fe3Si,  как  эпитаксиальных  (монокристалли-
ческих),  так  и  поликристаллических.  Тонкие  плёнки  отдельных  магнитных  слоев,  и 
трёхслойных  магнитных  структур  получены  методом  импульсного  лазерного  осажде-
ния,  позволяющим  контролировать  толщины  формируемых  структур  с  точностью  до 
долей монослоев.  
При  ФМР  исследовании  отдельных  магнитных  слоев  детально  была  изучена 
магнитная  анизотропия,  как  функция  толщины  и  химического  состояния  слоёв  (неко-
торые  из  полученных  результатов  интересны  в  сравнении  с [2]). При  исследовании 
трёхслойных систем ФМ-ТИ-ФМ были обнаружены различные ФМР сигналы от ниж-
него и верхнего ФМ слоев. Более того, для некоторых трёхслойных структур был обна-
ружен сдвиг резонансного сигнала одного из слоев относительного его положения при 
исследовании  соответствующей  однослойной  структуры  (см.  рис. 1). Обнаруженный 
сдвиг  косвенно  подтверждает  наличие  обменного  магнитного  взаимодействия  между 
слоями, которое было обнаружено при исследовании магнитных свойств на данных об-
разцах.  
ФМР
М сигн
г ал отдель
д
н
ель ого сло
л я
о Fe Si  
Si в перпендику
п
лярно
ерпендику
й
3
ориент
р
ации
ац
. H
ии
≈ 19.6
19
 k
.6 O
 k e
O
res
Образец #1
3
its 2
Fe Si/SiO
3
2
1
 un
SiO2
b. 0
Fe Si
3
, ar -1
SiO2
ity
Si
-2
s
n -3

te
In -4
19000

19500
20000
200
20500
21000
21
Образец #2
its
Sample #2
its
Sample #
its
Samp
3
Fe Si/SiO /Co
3
2
 un
2
Co
b.
1
SiO2
0
, ar
Fe Si
3
-1
SiO
ity
2
Si
SiO
s
Si
-2
2
n
Si
-3
te -4
In19000 19500
195
20000
20500
2
21000
21500
ФМР
ФМ сиг
си нал
на 3-х
3- сл
с о
л йной системы Fe Si/SiO /Co
/C  
o в
3
2
перпен
п
дикуляр
дику
ной ор
о ие
р
нтации. Fe
ии
Si сформирован
сформирова при те
т х
3
же ус
у лови
лов ях
и

ях чт
ч о и образ
обра е
з ц
е #1,
#1 НО H
≈ 20.4 kOe
O
!
res
 
Рис. 1. Сравнение положений ФМР сигнала Fe3Si как отдельного слоя,  
и в трехслойной системе 
Литература 
1.  S. Demokritov1, J. A. Wolf and P. Grunberg, Europhys. Lett. 15 (1991) 881-886 
2.  Kh.Zakeri, I.Barsukov, N.K.Utochkina, F.M.Romer, J.Lindner, R.Meckenstock, U. 
von Horsten, H.Wende, W.Keune, and M.Farle, Phys. Rev. B76 (2007), 214421 
А-185 

1   ...   72   73   74   75   76   77   78   79   80

Похожие:

Программа школы  iconОбразовательная программа школы и учебный план школы предусматривают выполнение государственной функции школы обеспечение базового общего образования, развитие ребёнка в процессе обучения.
О работе моу большерудкинской основной общеобразовательной школы в 2010-2011 учебном году
Программа школы  iconОбразовательная программа школы и учебный план школы, предусматривают выполнение государственной функции школы обеспечение базового общего образования, развитие ребенка в процессе обучения.
В работе с учащимися школа руководствуется Законом РФ «Об образовании», Уставом школы, Федеральным и муниципальным законодательством;...
Программа школы  iconПрограмма развития гоу средней общеобразовательной школы №1714. Структура программы. Раздел I. Информационная справка о школе. Раздел II. Проблемный анализ состояния школы
Vii организационно – методическое и информационное обеспечение деятельности школы
Программа школы  iconПрограмма разработана
Формирование концепции школы -«Школа- социокультурный  центр. Ключевые компетенции школы»  
Программа школы  iconОсновная образовательная программа начального общего образования моу школы №13
Муниципального образовательного учреждения средней общеобразовательной школы №13
Программа школы  iconОбразовательная программа моу «Топкановская основная общеобразовательная школа»
Цели основной общеобразовательной школы по обеспечению образовательной программы школы
Программа школы  iconПрограмма развития школы муниципального общеобразовательного учреждения «Средняя общеобразовательная школа №1»
Предназначение: программа определяет общую стратегию развития школы, основные направления деятельности по ее реализации, позволяет...
Программа школы  iconПрограмма школы будет включать следующие разделы:  
...
Программа школы  iconПаспорт программы развития школы   Настоящая программа определяет концепцию развития школы и основные направления деятельности по ее реализации. Нормативная база для разработки программы развития школы
Настоящая программа определяет концепцию развития школы и основные направления деятельности по ее реализации
Программа школы  iconОбразовательная программа мбоу сош №1 города Семенова «Гармония» Принята на заседании Совета школы
Образовательная программа муниципального бюджетного общеобразовательного учреждения средней общеобразовательной школы №1 города Семенова...
Разместите кнопку на своём сайте:
TopReferat


База данных защищена авторским правом ©topreferat.znate.ru 2012
обратиться к администрации
ТопРеферат
Главная страница