Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-  




PDF просмотр
НазваниеУважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-  
страница36/260
Дата конвертации03.10.2012
Размер3.54 Mb.
ТипДокументы
1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   260

У-25 
Електричні властивості кристалів СdTeP
при високих температурах 
Ю. Ю. Обедзинська, П. М. Фочук, О. Е. Панчук 
Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича, Чернівці, Україна 
Для практичного застосування кристалів CdTe в якості сонячних елементів першочер-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
говою є проблема створення сильно легованого р-контакту. Фосфор є одним з небагатьох
   
 
 
 
 
 
   
   
 
елементів, що надають CdTe провідність р-типу [1]. Але залишається нез’ясованим
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
вплив цієї домішки на структуру точкових дефектів (ТД) CdTe, що дозволило б цілесп-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
рямовано вирощувати потрібний матеріал. Ця інформація може бути отримана за допо-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
могою дослідження електричних характеристик легованих Фосфором кристалів CdTe в
 
 
 
 
 
 
 
 
 
умовах високотемпературної рівноваги дефектів (ВТРД). 
 
 
 
 
Тому метою роботи було дослідити вплив Фосфору на електричні властивості CdTe
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
під тиском пари кадмію в умовах ВТРД. Для дослідження використали метод вимірю-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
вання електропровідності та ефекту Холла, що дало можливість отримати інформацію
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
про концентрацію та рухливість носіїв заряду в кристалах CdTeP при різних темпера-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
турах і тисках пари кадмію. Такі результати були отримані вперше, оскільки раніше
   
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
досліджували кристали CdTeP лише при низьких температурах [2]. 
 
 
 
 
 
 
 
Монокристали CdTe, леговані Фосфором, були вирощені методом Бріджмена. Поча-
 
 
 
 
 
 
 
 
ткова концентрація Фосфору в розплаві була 11019 ат/см3. Було досліджено декілька
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
зразків, які вирізали з різних частин злитку, щоб забезпечити різний вміст легуючої
 
   
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
домішки у зразках. 
 
 
Аналіз температурної залежності рухливості носіїв заряду для всіх зразків свідчить
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
про те, що до температури 800 К матеріал володіє провідністю р-типу, а при подаль-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
шому нагріванні провідність через біполярну переходить в електронну внаслідок наси-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
чення кристалу атомами кадмію з газової фази.  
 
 
 
   
 
 
Всі ізотермічні залежності концентрації носіїв заряду знаходяться нижче ізотерм
 
 
 
 
 
 
 
 
 
для нелегованого матеріалу. Це свідчить про те, що Р створює в CdTe велику кількість
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
акцепторних центрів, які зв’язують електрони, понижуючи їх загальну концентрацію.
 
 
 
 
 
 
 
  
 
В нелегованому CdTe концентрація носіїв заряду спочатку зменшується зі спаданням
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
тиску пари кадмію (р ), а потім залишається сталою. В легованому матеріалі для тем-
 
 
 
Cd
 
 
 
 
 
 
 
 
 
ператур 770—970 К (в залежності від положення зразка у злитку) при пониженні р
спо-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
Cd 
стерігається зростання концентрації носіїв заряду, що обумовлено зростанням концент-
 
 
 
 
 
 
 
 
рації дірок при заданих стехіометричних співвідношеннях. Для температур 1070—1170
 
 
 
 
 
 
 
 
 
К отримано низькі (від 0,05 до 0,24) нахили, що також пояснюється значним впливом
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
домішкових ТД за цих умов. 
 
 
 
 
Ізобаричні залежності концентрації електронів для зразків CdTeР також розта-
 
 
 
 
 
 
 
 
шовані нижче відповідних ізобар для нелегованого СdTe. Нахили цих залежностей для
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
легованого матеріалу складають 1,06 еВ (для р 1—10 кПа) і 1,3 еВ (для р 100
 
 
 
 
 
 
Cd
 
   
 
 
 
Cd
 
кПа). Такі значення нахилів для цих (а також і ізотермічних) залежностей, можуть сві-
 
 
 
 
 
 
 
   
 
 
 
дчити про складну поведінки домішки, зокрема, про утворення Фосфором інших домі-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
шкових центрів, наприклад, або , які можуть взаємодіяти як між собою, так і з
 
 
 
i 
 
Cd  
 
 
 
 
 
 
   
 
власними дефектами. 
 
Аналіз отриманих результатів дозволив зробити висновок, що основним ТД, який
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
утворює Фосфор в CdTe, є Р . Але вся різноманітність поведінки досліджуваних крис-
 
 
 
 
 
Te  
 
 
 
 
 
талів не може бути описана моделлю лише з одним акцепторним домішковим дефектом.
 
 
 
 
 
 
   
 
 
 
 
Слід враховувати можливість утворення також інших домішкових дефектів та їх асоці-
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
атів з власними ТД. 
   
 
1. 
Н. В. Агринская, О. А. Матвеев, А. И. Терентьев, ФТП., 23, № 3: 439 (1973). 
2. 
F. A. Selim, F. A. Krцger, J. Electrochem. Soc.А124: 401 (1977). 
 
27
1   ...   32   33   34   35   36   37   38   39   ...   260

Похожие:

Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconНоу «Сибирь» Цель конференции Конференция проводится с целью выявления учащихся, одаренных в области научного творчества. Задачи конференции
Ноу «Сибирь», участники которой предлагают для обсуждения свои исследовательские работы. Многие секции имеют длительную и успешную...
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconНаучно-практическая  конференция  была  проведена  по  инициативе  группы  депутатов В  ходе  конференции  был  сделан  доклад  на  тему:  “Ведение  информационных  войн
...
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconКрымский научный центр национальной академии наук    

Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconНациональная академия наук беларуси
Государственное научное учреждение «Объединенный институт проблем информатики Национальной академии наук Беларуси»
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconТезисы докладов 
Физико-химический институт им. А. В. Богатского Национальной академии наук Украины  
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconТезисы докладов 
Физико-химический институт им. А. В. Богатского Национальной академии наук Украины  
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   icon                                                                                                                                                     екологічний  
Институт биологии южных морей им. А. О. Ковалевского Национальной Академии наук Украины, 
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconНациональной академии наук украины 
Статьи в журнале публикуются на русском, украинском, крымскотатарском, английском 
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconКрымский научный центр Национальной академии наук Украины и 
Свидетельство о государственной регистрации печатного средства массовой информации. 
Уважаемые участники конференции!  Конференция проводится по инициативе Национальной академии наук Украи-   iconКрымский научный центр  национальной академии наук украины 
Статьи в журнале публикуются на русском, украинском, крымскотатарском, английском  
Разместите кнопку на своём сайте:
TopReferat


База данных защищена авторским правом ©topreferat.znate.ru 2012
обратиться к администрации
ТопРеферат
Главная страница