Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г. 




PDF просмотр
НазваниеАвтореферат разослан  «6»  марта  2012 г. 
страница1/10
Дата конвертации16.01.2013
Размер6.78 Kb.
ТипАвтореферат
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

На правах рукописи 
УДК 621.382                                                                                     
                                                                                    
 
 
Ерофеев Евгений Викторович 
 
 
ФОРМИРОВАНИЕ КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-
ПОЛУПРОВОДНИК С МЕТАЛЛИЗАЦИЕЙ НА ОСНОВЕ 
Al И Cu ДЛЯ GaAs СВЧ ТРАНЗИСТОРОВ С ВЫСОКОЙ 
ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ 
 
Специальность 01.04.04 – физическая электроника 
 
АВТОРЕФЕРАТ 
диссертации на соискание ученой степени 
кандидата технических наук 
 
 
 
 
 
Томск  – 2012 



 
Работа  выполнена  в  ЗАО  «Научно-производственная  фирма  «Микран»  
и  ФГБОУ  ВПО  «Томский  государственный  университет  систем  управления  
и радиоэлектроники». 
Научный руководитель:  
доктор физико-математических наук,  
                                               старший научный сотрудник 
 
Кагадей Валерий Алексеевич 
Официальные оппоненты:  
доктор технических наук 
 
Айзенштат Геннадий Исаакович 
 
(главный научный сотрудник  
 
ОАО НИИ ПП, г. Томск) 
 
доктор физико-математических наук 
 
Гошин Геннадий Георгиевич 
 
(профессор каф. СВЧиКР 
 
ФГБОУ ВПО ТУСУР, г. Томск) 
Ведущая организация:  
Институт физики полупроводников 
СО РАН,  г. Новосибирск 
Защита  диссертации  состоится  «11»  апреля  2012  г.  в  17  ч.  00  мин.  На 
заседании  диссертационного  совета  Д212.268.04  при  ФГБОУ  ВПО  «Томский 
государственный  университет  систем  управления  и  радиоэлектроники»  по 
адресу: 634050, г. Томск, пр. Ленина, 40, ауд. 203. 
С 
диссертацией 
можно 
ознакомиться 
в 
библиотеке 
Томского 
государственного  университета  систем  управления  и  радиоэлектроники  по 
адресу: г. Томск, ул. Вершинина, 74. 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г. 
Ученый секретарь 
диссертационного совета Д212.268.04 
доктор технических наук, профессор                                          Ю.П. Акулиничев 
 


 
ВВЕДЕНИЕ 
Актуальность работы  
Быстрая  эволюция  телекоммуникационных  устройств  на  базе  GaAs  СВЧ 
монолитных  интегральных  схем  (МИС)  является  одним  из  основных  драйверов 
развития 
современного 
информационного 
общества. 
Гетероструктурные 
транзисторы  и,  в  частности,  транзистор  с  высокой  подвижностью  электронов 
(pHEMT) выступают в качестве основных элементов GaAs МИС, определяющих 
их  технические  характеристики.  Темп  усовершенствования  конструкции 
pHEMT,  а  также  технологии  его  изготовления  во  многом  задают  скорость 
создания новых поколений устройств передачи данных. 
В  настоящее  время  в  производстве  GaAs  МИС  для  формирования 
металлизации  омических  и  барьерных  контактов  (ОК  и  БК),  а  также  для 
создания  межэлементной  и  межуровневой  разводки  традиционно  используются 
такие металлы, как Au, Pt и Pd. В кремниевой технологии драгоценные металлы 
не применяются, а для создания металлизации ранее использовался Al, а сегодня 
с  успехом  применяют  Cu.  По  сравнению  с  Au,  Cu  имеет  большую 
теплопроводность,  а  также  меньшее  удельное  сопротивление,  причем  как  Cu, 
так  и  Al  характеризуются  существенно  меньшей  стоимостью.  Поэтому  в 
технологии  GaAs  СВЧ  МИС  переход  к  металлизации  на  основе  этих  металлов 
должен  позволить  повысить  технические  характеристики  изделий  и  уменьшить 
себестоимость  их  производства.  Отсутствие  промышленной  технологии 
производства  GaAs  МИС  с  металлизацией  на  основе  Al  и/или  Cu  обусловлено 
недостаточным 
объёмам 
знаний 
о 
закономерностях 
и 
особенностях 
формирования  Al- или Cu-содержащих контактов метал-GaAs. 
Цель работы  
Целью  настоящей  работы  является  изучение  закономерностей  и 
разработка  физических  основ  технологии  изготовления  улучшенных  омических 
и барьерных контактов к GaAs, в том числе с металлизацией на основе Al и Cu, а 
также  исследование  параметров  СВЧ  транзисторов  с  высокой  подвижностью 
электронов с Al- или Cu-содержащими контактами. 
 
 
 
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   10

Похожие:

Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «22»   марта 2012 года. 
Защита  диссертации  состоится  «  23  »      апреля      2012  г.  в        15. 00      на  заседании 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан   «   »  марта  2012 г.  
Работа  выполнена  на  кафедре  экономических  и  финансовых  дисциплин             
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «13» марта 2012 года 
Защита  диссертации  состоится  «13»  апреля  2012  года  в  15: 00  часов  на  заседа
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «10» апреля 2012 г. 
Защита  диссертации  состоится  «17»  мая  2012  г.  в  14  часов  на  заседании 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан “         ”               2012 г. 

Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «04» марта 2008 г. 
Д 212. 229. 11 в  гоу  впо  «Санкт- петербургский  Государственный  политехнический  университет»  по  адресу: 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «02 »   марта   2009 г. 
Д 002. 240. 01  при  Институте  проблем  механики  им. А. Ю. Ишлинского  ран  по  адресу: 119526, г.  Москва,  проспект 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан 12 марта 2010 г. 
Защита  диссертации  состоится  13  апреля  2010  г.  в  11  часов  на  заседании 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «22» февраля 2006 г. 
Защита  диссертации  состоится  «23» марта  2006  г.  в 15 часов  на  заседании 
Автореферат разослан  «6»  марта  2012 г.  icon  автореферат разослан «18» апреля 2012 г. 
Дмитриев А. С., Кислов В. Я. Стохастические колебания в радиофизике и электронике. 
Разместите кнопку на своём сайте:
TopReferat


База данных защищена авторским правом ©topreferat.znate.ru 2012
обратиться к администрации
ТопРеферат
Главная страница